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Modèle d`une diode

La tension de diode V D {displaystyle V_ {D}} peut être trouvée en termes de V S {displaystyle V_ {S}} pour un ensemble particulier de valeurs par une méthode itérative à l`aide d`une calculatrice ou d`un ordinateur. [3] la Loi de diode est réarrangée en divisant par I S {displaystyle I_ {S}}, et en ajoutant 1. La Loi de diode devient [3] Lauritzen, P.O. et CL. ma. “Un modèle de diode simple avec reprise inverse.” IEEE® Transactions sur l`électronique de puissance. Vol. 6, n ° 2, avril 1991. Une mesure de combien de temps il faut pour que les transporteurs se dissipent une fois que la diode ne conduit plus.

Ce paramètre n`est visible que lorsque vous sélectionnez exponentiel pour le paramètre de modèle de diode et utilisez le temps de transit et la durée de vie du transporteur pour le paramètre modèle de charge. La valeur par défaut est 100 ns. Tm1 est la température à laquelle les paramètres de diode sont spécifiés, tels que définis par la valeur de paramètre de température de mesure. où τ F {displaystyle tau _ {F}} est le temps de transit avancé des transporteurs de charge: [5] le premier terme de la charge est la charge en transit à travers la diode lorsque le courant I Q {displaystyle I_ {Q}} coule. Le second terme est la charge stockée dans la jonction elle-même quand il est considéré comme un condensateur simple; qui est, comme une paire d`électrodes avec des charges opposées sur eux. C`est la charge stockée sur la diode en vertu de simplement avoir une tension à travers elle, indépendamment de tout courant qu`il conduit. Port de conservation électrique associé à la borne positive de la diode les valeurs de 0,6 ou 0,7 volts sont couramment utilisées pour les diodes de silicium. [4] dans l`électronique, la modélisation des diodes fait référence aux modèles mathématiques utilisés pour rapprocher le comportement réel des diodes réelles pour permettre les calculs et l`analyse des circuits. La courbe I-V d`une diode est non linéaire (elle est bien décrite par la Loi de diode Shockley). Cette non-linéarité complique les calculs dans les circuits impliquant des diodes si simples modèles sont souvent nécessaires.

[2] G. Massobrio et P. Antognetti. Modélisation de dispositif semi-conducteur avec SPICE. 2e édition, McGraw-Hill, 1993. Lorsque la dépendance à la température est comprise, l`équation définissant la diode reste la même. La valeur de la température de mesure, Tm1, est remplacée par la température de simulation, TS. Le courant de saturation, IS, devient une fonction de la température selon l`équation suivante: la tension inverse ci-dessous qui pour modéliser l`augmentation rapide de la conductance qui se produit à la rupture de la diode. Ce paramètre n`est visible que lorsque vous sélectionnez exponentiel pour le paramètre de modèle de diode. La valeur par défaut est INF V, ce qui omet effectivement la ventilation inverse du modèle. La charge dans le courant de la diode I Q {displaystyle I_ {Q}} est connue pour être utilisée valeur nominale pour les diodes barrière Schottky (EG = 0,69 eV) lorsque (qV/NkTm1) > 80, le bloc remplace eqVNkTm1 par (qV/NkTm1 – 79), qui correspond au gradient du courant de diode à (qV /NkTm1) = 80 et extrapole linéairement. Lorsque (qV/NkTm1) < – 79, le bloc remplace eqVNkTm1 par (qV/NkTm1 + 80) e – 79, qui correspond également au dégradé et extrapolé linéairement.

Les circuits électriques typiques n`atteignent pas ces valeurs extrêmes. Le bloc fournit cette extrapolation linéaire pour aider à la convergence lors de la résolution des contraintes lors de la simulation. Vecteur des valeurs actuelles aux deux points de la courbe I-V de la diode que le bloc utilise pour calculer IS et N. Ce paramètre n`est visible que lorsque vous sélectionnez exponentiel pour le paramètre de modèle de diode et utilisez deux points de données de courbe I-V pour le paramètre PARAMETERIZATION.


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February 13, 2019